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RN2109MFV SOT-723 TOSHIBA

更新时间:2010-01-01 00:00:00
价格:¥0.13/
应用范围:带阻尼
品牌:TOSHIBA
型号:RN2109MFV
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详细介绍
rn2109mfv 带阻尼三极管 pnp -50v -0.1a 47k 22k sot-723 toshiba
 
型号
part no.
rn2109mfv
丝印/代码/打字/标记/印记
marking code
yj
厂家
manufacturer
toshiba
一级分类
1.general categories
三极管
bipolar transistor
二级分类
2.subcategories
带阻尼pnp
pnp bipolar digital transistor (brt)
集电极-基极反向击穿电压v(br)cbo
collector-base voltage(vcbo)
-50v
集电极-发射极反向击穿电压v(br)ceo
collector-emitter voltage(vceo)
-50v
集电极连续输出电流ic
collector current(ic)
-100ma/-0.1a
基极输入电阻r1
input resistance(r1)
47kω/ohm
基极-发射极输入电阻r2
base-emitter resistance(r2)
22kω/ohm
电阻比(r1/r2)
resistance ratio
2.14
直流电流增益hfe
dc current gain(hfe)
70
耗散功率pc
power dissipation
0.15w/150mw
封装
package/case
sot-723/vesm
description & applicationsfeatures ?transistor silicon pnp epitaxial type (pct process)
?ultra-small package, suited to very high density mounting
?incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts, so enabling the manufacture of ever more compact equipment and lowering assembly cost.
?a wide range of resistor values is available for use in various circuits.
?complementary to the rn1107mfv~rn1109mfv
applications
?switching, inverter circuit, interface circuit and driver circuit applications
描述与应用特点
?晶体管的硅pnp外延型(pct工艺)
?超小型封装,适合高密度安装
?结合到晶体管的偏置电阻器,减少了部件的数量,所以使越来越紧凑的设备的制造和降低装配成本。
?宽范围的电阻值是可用于在各种电路。
?互补的rn1107mfv?rn1109mfv等
应用
?开关,逆变电路,接口电路和驱动器电路应用
 
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     同时,我们也是一家专业的晶振供应厂商,注册有品牌“华半huaban”。公司拥有先进的生产设备、测试仪器和丰富经验的开发生 产技术队伍,产品系列有:晶体谐振器、晶体振荡器、vcxo压控晶体振荡器、tcxo/vctcxo温补晶体振荡器、ocxo恒温晶体振荡器。产品 广泛应用于钟表、数码产品、车载数码、手机、对讲机、数码相机、mid平板电脑,光电技术等通讯设备及各种频率控制设备。
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e助手产品详细信息模板

本产品的应用范围是带阻尼,品牌是TOSHIBA,型号是RN2109MFV,材料是硅(Si),封装形式是SOT-723/VESM,极性是PNP,基极-发射极输入电阻R2是22KΩ/Ohm,基极输入电阻R1是47KΩ/Ohm

没有

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